[发明专利]监测用于半导体生长的拉晶机中气态环境的方法无效
| 申请号： | 01822052.5 | 申请日： | 2001-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1486374A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | J·D·霍尔德;S·K·麦夸尔;M·J·伯格 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/00;G01M3/22 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立;吴鹏 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于监测密封式拉晶炉内气态环境的方法，所述密封式拉晶炉用于在保持负压的生长室中的半导体材料锭的生长。该方法包括：密封生长室，将密封室内的压力减少到负压水平，将一种处理气体引入生长室以便清洗生长室并在生长室内形成一个气态环境，以及对生长室内的气态环境进行存在浓度高于处理气体中的污染气体浓度的污染气体方面的分析。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 用于 半导体 生长 拉晶机中 气态 环境 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于监测拉晶炉中气态环境的方法，所述拉晶炉用于在保持负压的生长室中的半导体材料锭的生长，所述方法包括：密封生长室；将密封室内的压力减少到负压水平；将一种处理气体引入生长室中，以便清洗生长室并在生长室内形成一个气态环境；及，对气态环境进行超过处理气体中污染气体浓度的污染气体方面的分析。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司，未经MEMC电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01822052.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳钢和不锈钢的连续电解酸洗与除鳞
- 下一篇：用于纤维和膜制备的热塑性组合物
