[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，在布线层形成后无法使用高温氧退火的状态下，防止由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。在半导体衬底1上形成由下部电极8、由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜9及上部电极10构成的电容元件11。在以覆盖电容元件11的方式形成的保护绝缘膜12上形成有第1布线层14。以覆盖第1布线层14的方式形成有第1层间绝缘膜15。隔着以与电容元件11重叠的方式设置且防止氢扩散的阻挡膜16，在第1层间绝缘膜15上形成有第2层间绝缘膜17。在第2层间绝缘膜17上形成有第2布线层19。第1层间绝缘膜15中氢的含有率比第2层间绝缘膜17中氢的含有率低。

主权项

1.一种半导体器件，其中：包括：由在半导体衬底上依序形成的下部电极、由绝缘性金属氧化物制成的电容绝缘膜及上部电极构成的电容元件，在上述半导体衬底上以覆盖上述电容元件的方式形成的保护膜，形成在上述保护膜上的第1布线层，以覆盖上述第1布线层的方式形成在上述保护膜上的第1层间绝缘膜，以至少与上述电容元件的一部分重叠的方式形成在上述第1层间绝缘膜上且用以防止氢扩散的阻挡膜，形成在上述第1层间绝缘膜上及上述阻挡膜上的第2层间绝缘膜，以及形成在上述第2层间绝缘膜上的第2布线层；上述第1层间绝缘膜中的氢的含有率比上述第2层间绝缘膜中的氢的含有率低。