[发明专利]用于低K工艺的铜通孔的铬粘结层无效
| 申请号： | 01821902.0 | 申请日： | 2001-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1486504A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 布雷特·H·恩格尔;马克·霍因基斯;约翰·A·米勒;徐顺天;王允愈;黄洸汉 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;英芬能技术北美公司 |
| 主分类号： | H01K3/10 | 分类号： | H01K3/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在具有铜互连(30，50)和低k层间介质(40)的集成电路中，发现热处理后的断路问题，通过Cr第一衬层(42)、随后CVD TiN保形衬层(46)、依次随后的Ta或TaN最终衬层(48)解决该问题，从而提高通孔(50)和下层的铜层(30)之间的粘附力，同时保持低电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 工艺 铜通孔 粘结 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路中形成铜互连的方法，包括以下步骤：(a)淀积和构图第一铜互连层(30)；(b)淀积第一低介电常数层间介质层(40)；(c)形成一组通孔，所述通孔穿过所述的第一低介电常数层间介质层，在所述第一铜互连层上中止。(d)在所述通孔组内淀积Cr第一衬层(42)；以及(e)淀积和构图第二铜互连层(50)；
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