[发明专利]制造集成半导体存储装置的方法无效
| 申请号： | 01821615.3 | 申请日： | 2001-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1484859A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | M·卡斯特纳;T·米科拉杰克 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明系关于一种制造集成半导体存储装置的方法，根据该方法，对每一个选择晶体管(8)，两个电容器模块(10、20)分别自该晶片衬底(1)的前及后侧形成。该发明方法藉由该晶片后侧的利用达到存储器胞元的更高填充密度，两倍的存储器该取信号可用于相同胞元表面积。对每一个选择晶体管(8)，除“0”或“1”之外的状态亦可储存于铁电存储装置，若该两个电容器模块在层厚度、表面积或材料方面具不同构造。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 集成 半导体 存储 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造在晶片衬底(1)上的集成的铁电或DRAM半导体存储装置之方法，每一个存储器胞元上形成一个选择晶体管(8)及可由该选择晶体管(8)调用的两个存储电容器(10、20)，其特征在于，每一个存储器胞元的两个存储电容器(10、20)各从该晶片衬底(1)的前侧及后侧形成，
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
