[发明专利]电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 01821536.X | 申请日： | 2001-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1484852A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;须川成利;平山昌树;白井泰雪 | 申请（专利权）人： | 大见忠弘 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L27/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法，这是以硅为衬底并包含多个晶体管或电容器的半导体器件的成膜方法，其中，氢至少预先存在于所述硅表面的一部分上，将所述硅的表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而，在所述硅气体的表面上形成一种硅化合物层，所述硅化合物层包含构成所述气体分子的至少一部分的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 及其 形成 方法 半导体器件 非易失性 半导体 存储 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种形成在硅表面上的电介质膜，其特征在于，所述电介质膜，含有氮，其中，氮浓度的分布是，电介质膜表面的浓度高于电介质膜中央部分的浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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