[发明专利]用于制造增强晶片研磨垫的方法以及实施该方法的装置无效
| 申请号： | 01821518.1 | 申请日： | 2001-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1482958A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 许苍山;赵岳星;戴芬 | 申请（专利权）人： | 拉姆研究公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24D11/00;B24D18/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 党晓林 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在本发明的一个实施例中，提供了一种用于化学机械研磨的无缝研磨装置。该无缝研磨装置包括研磨垫，该研磨垫的形状类似带，且没有接缝。该无缝研磨装置还包括基带，该基带包括增强层和缓冲层。该缓冲层是在研磨带垫和基带之间的中间层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 增强 晶片 研磨 方法 以及 实施 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于化学机械研磨的无缝研磨装置，包括：研磨垫(156)，该研磨垫的形状为带状，且没有接缝；以及基带(157)，该基带包括增强层(182)和缓冲层(184)；其中，该缓冲层是在研磨带垫和基带之间的中间层。
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