[发明专利]脉冲型双稳态双向电子开关无效
| 申请号： | 01821446.0 | 申请日： | 2001-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1483223A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 索非·基蒙尼特;弗朗克·杜克罗斯 | 申请（专利权）人： | ST微电子公司 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及脉冲控制的双稳态双向电子开关，它包含由基底(1)形成的单片半导体电路，该基底的后表面(A2)上涂有接地的金属化涂层。所述电路包含具有第一栅极(M3)的垂直双向开关(T1，T2)，并且其位于前表面的主电极(A1)连接到负载并连接到交流电源；水平的闸流管(T3)，它包括垂直双向开关的上层(4)，第一P型区域(11)，及在第一区域中形成的第二N型区域(12)；连接到第一和第二区域之一的第二栅极(G1)，其中第一和第二区域中的另一个接地；连接到第一栅极(M3)和交流电源(VAC)的电容(C)。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 双稳态 双向 电子 开关 | ||
【主权项】：
1.脉冲控制的双稳态类型双向电子开关，包括：由轻微掺杂的N型基底(1)形成的单片半导体电路，该基底具有后表面(A2)，其上涂有连接到参考电压金属化涂层，包括：具有第一栅极(M3)的垂直双向开关结构(T1，T2)，并且其位于前表面的主电极(A1)连接到负载并连接到交流电源；水平的闸流管结构(T3)包括垂直双向开关的上层(4)，基底(1)，在基底中形成的第一P型区域(11)，及在第一区域中形成的第二N型区域(12)；连接到第一和第二区域之一的第二栅极(G1)，第一和第二区域中的另一个连接到参考电压；连接到第一栅极(M3)和交流电源(VAC)的电容(C)；及用于使电容短路的开关。
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