[发明专利]含有1,3－二羰基化合物的半导体去膜组合物无效
| 申请号： | 01821356.1 | 申请日： | 2001-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1483093A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 威廉·A·沃伊特恰克;法蒂玛·玛·塞约;戴维·伯恩哈德;朗·柬 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | C23G5/036 | 分类号： | C23G5/036;C09K13/02;C11D9/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉;丁业平 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体晶片清洗剂，包括2－98重量％有机胺，0－50重量％水，0.1－60重量％1，3－二羰基化合物螯合剂，0－25重量％另外的不同螯合剂，0.5－40重量％含氮羧酸或亚胺，以及2－98重量％极性有机溶剂。该清洗剂用于从晶片上除去抗蚀剂等离子体灰化步骤后残留的残余物，例如从具有精密铜互连结构的半导体晶片上除去无机残余物。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 羰基 化合物 半导体 组合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片清洗剂，用在等离子体灰化制造半导体之后，其按所示的重量百分数(以清洗剂的总重量为基准)范围含有下面的成分：有机胺 2-98％水 0-50％1，3-二羰基化合物螯合剂 0.1-60％另外的不同螯合剂 0-25％含氮羧酸或亚胺 0.5-40％极性有机溶剂 2-98％总计 100％。
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