[发明专利]自内存胞元铁电晶体管中读出及存入状态之方法及记忆矩阵无效
| 申请号： | 01821027.9 | 申请日： | 2001-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1481558A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | H·戈贝尔;H·霍恩格施米德;W·霍恩濑恩;T·哈内德;M·厄尔曼 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 该状态自该铁电晶体管读出或存入该铁电晶体管。在读出或存入一状态期间，内存矩阵中至少一其它铁电晶体管被驱动，以使其操作在空乏区。 | ||
| 搜索关键词： | 内存 胞元铁电 晶体管 读出 存入 状态 方法 记忆 矩阵 | ||
【主权项】：
1.一种自或在一内存胞元之铁电晶体管中读出或存入一状态之方法，该内存胞元系安排在具有复数个具有其它铁电晶体管之其它内存胞元之内存矩阵中，其中，一状态自铁电晶体管读出或存入该铁电晶体管中，及其中，内存矩阵中之至少一其它铁电晶体管在读出或存入一状态期间被驱动而使其操作在其空乏区。
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