[发明专利]将试剂延期注入等离子体的注射器和方法无效
申请号: | 01820984.X | 申请日: | 2001-10-12 |
公开(公告)号: | CN1481449A | 公开(公告)日: | 2004-03-10 |
发明(设计)人: | B·L·-M·杨 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;H01J37/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张元忠;孟凡宏 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了用于将流体注入等离子体流的方法和装置,其在长时间使用过程中能均匀分配并且减少堵塞的可能性。一种喷嘴(2),包含用于限制流体流动的第一通道部分(6),其外形使得第一通道部分(2)的内壁平行于第一轴(9)。该喷嘴(2)也包含与第一通道部分(69)流体连通的第二通道部分(8)。第二通道部分(8)包含凹壁部分,使第二通道部分(8)的内壁以预定角度偏离第一轴(9)。第二通道部分(8)减少了使用期间堵塞层在第二通道部分(8)的内壁上的形成。而且,喷嘴(2)还可以包含伸入等离子体的尖端部分(28)。喷嘴(2)可以并入注射器体系或者在注射器体系中可互换,所述注射器体系被设计用于在等离子体沉积装置中操作。 | ||
搜索关键词: | 试剂 延期 注入 等离子体 注射器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于将流体注入等离子体的注射器体系,其包含:包含喷嘴(2)的基体(4),其包含:限定第一通道部分(6)的第一内壁(3),用于限制流体的流动,并且其外形使得第一通道部分(6)的内壁(3)平行于第一轴(9);和限定与第一通道部分(6)流体连通的第二通道部分(8)的第二内壁,并且其具有凹壁部分,这样第二通道部分的第二内壁以预定角度偏离第一轴(9),第二通道部分(8)减少了使用期间堵塞层(19)在第二通道部分(8)的第二内壁上的形成。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的