[发明专利]离子注入之后清除光抗蚀剂的方法无效
| 申请号： | 01820981.5 | 申请日： | 2001-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1481519A | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | J·S·哈罗克;A·F·贝克内尔;P·萨克蒂维尔 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯技术公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京;章社杲 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用来在暴露于离子注入工艺之后剥离光抗蚀剂层的方法。此方法包括使其上具有离子注入过的光抗蚀剂层的衬底经受紫外线曝光并随后用常规剥离工艺清除离子注入过的光抗蚀剂。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 之后 清除 光抗蚀剂 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用来清除离子注入过的光抗蚀剂(P)的方法，包括将其上具有离子注入过的光抗蚀剂层的衬底(S)暴露于足以使所述光抗蚀剂层可以被清除的紫外线光源，并从衬底剥离光抗蚀剂。
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