[发明专利]利用铜扩散阻挡结构的高多孔低K电介质膜的结构加强

摘要

高多孔低－k电介质材料被机械加强以能够在高级的集成电路中使用这些低－k材料作为层内和层间电介质，例如将高多孔材料并入Cu镶嵌互连的技术。体现这样的机械加强的电介质层的集成电路通常包括一个其中有互连的电子元件的衬底，在衬底上布置的铜扩散阻挡(108)或者刻蚀停止层，铜扩散阻挡或者刻蚀停止层被构图以提供多个电绝缘结构(110)，和在多个结构周围布置的低－k电介质层(112)。一种工艺，用于制作机械加强的、高多孔、低－k电介质层，通常包括在衬底上形成铜扩散阻挡或者刻蚀停止层，对铜扩散阻挡或者刻蚀停止层进行构图以形成多个结构，每一结构具有顶表面，在该结构上面和邻近处形成低－k电介质层，低－k电介质层具有顶表面，和对低－k电介质层抛光，使得它的顶表面基本与结构的顶表面齐平。该结构可以是矩形柱，或是其它几何复杂形状。该结构可以是相同的形状，或是各种形状的组合。

主权项

1.一种工艺，包括：在衬底上形成具有第一厚度的非导电的铜扩散阻挡层；对铜扩散阻挡层进行构图，形成多个隔开的柱，每一个柱具有一顶表面，并且铜扩散阻挡层在隔开的柱之间的间隔里具有第二非零厚度；在所述柱的上面以及邻近处形成电介质层，该电介质层具有顶表面；和去掉部分所述电介质层，使得所述电介质层的顶表面基本与所述柱的顶表面齐平。