[发明专利]具有扩展的表面焊接区的电容器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 01820921.1 申请日: 2001-11-27
公开(公告)号: CN1481563A 公开(公告)日: 2004-03-10
发明(设计)人: D·费格罗尔;M·J·瓦尔克;J·P·罗德里格茨;H·杜 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01G2/20 分类号: H01G2/20;H01L23/52
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳;梁永
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种电容器(图6-9),包括一个或多个扩展的表面焊接区(604,704,804,904,图6-9)。在一个实施例中,每个扩展的表面焊接区是在电容器的顶面或者底面上的焊接区,其具有至少等于电容器宽度的(614,图6)的30%或者电容器长度(914,图9)的20%的焊接区长度。当嵌入到集成电路封装(1102,图11)中时,两个或多个过孔(1112)可以被电气连接到扩展的表面焊接区(1108)。
搜索关键词: 具有 扩展 表面 焊接 电容器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种电容器,包括:一个内部电容器结构;和一个扩展的表面焊接区,电气连接到所述内部电容器结构并且形成在所述电容器的表面上,其中所述扩展的表面焊接区具有足够使两个或者多个过孔连接到所述扩展的表面焊接区的焊接区长度,并且所述焊接区的长度是所述扩展的表面焊接区在垂直于所述边的方向,从电容器的一边到所述扩展的表面焊接区的终端的长度。
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