[发明专利]半导体存储器及其更新控制电路有效
| 申请号： | 01820427.9 | 申请日： | 2001-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1479924A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行;草刈隆 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 防止因更新而影响正常存取或者因连续写入而不能更新的问题。一种半导体存储器，产生构成一行地址部分的更新操作时间间隔基准的时钟信号作为更新用时钟信号；检测对从外部供给的存储单元的地址“Address”变化，以该检测信号的产生为触发脉冲，对与更新地址对应的存储单元进行更新后，对存取地址指定的存储单元实行存取，在输入写入启动信号/WE的场合，以该信号为触发脉冲进行更新后进行写入，同时根据更新用时钟信号在规定期间，停止将存取地址变化检测信号的产生作为触发脉冲的更新操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 更新 控制电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，其特征是，包括：具有需要更新的多个存储单元的存储单元阵列；对从外部供给的存取地址指定的存储单元进行存取的存取电路；产生成为更新操作时间间隔基准的更新用时钟信号的更新用时钟信号发生电路；检测所述存取地址的变化，产生存取地址变化检测信号的地址变化检测电路；以所述更新用时钟信号为触发脉冲，根据所述存取地址变化检测信号的产生，使用于允许更新操作的更新允许信号活化，以所述存取地址变化检测信号的产生为触发脉冲，对与更新地址对应的存储单元进行更新后，实行对所述存取地址指定的存储单元进行存取的控制电路。
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