[发明专利]使用一步快速热退火工艺及尾端处理形成硅化镍的方法

摘要

一种自行对准硅化物工艺，其可在一受控的反应中，允许一低热预算，并形成一些尺度小的硅化物区域(64，66)。在一第一温度处理中，一镍金属或镍合金(52)，将与一硅材料(46)反应，以形成至少一高电阻硅化镍区域(56，58)。未反应的镍(54)将被移除。在该等高电阻值的硅化镍区域(56，58)上面，接着沉积一介电质层(60)。在一第二温度处理中，该等至少一高电阻硅化物区域(56，58)与介电质层(60)，将会在一预定的温度下反应，以形成至少一低电阻硅化物区域(64，66)，并处理该介电质层(60)。彼等区域间的桥接，可藉由控制硅化物的成长以及在其第一温度处理后移除彼等硅化镍区域(56，58)间未反应的镍(54)等二步骤的处理，来加以避免。该等高电阻硅化镍区域(56，58)与介电质层(60)的处理，传统上系结合成一单一温度处理。在其它的实施例中，上述的第二温度处理，系在其介电质层(60)的沉积和处理前，独立地执行。

主权项

1.一种半导体加工方法，该方法包括下述步骤：在至少一硅层(46)上面，沉积镍金属或镍合金(52)；于在第一温度下，使至少一部分的镍金属或镍合金(52)与硅层(45)反应一第一段时间，以形成至少一高电阻硅化镍区域(56，58)：移除未反应的镍金属或镍合金(54)；以及于，在第二温度下，使该高电阻硅化镍区域(56，58)反应一第二段时间，以形成至少一低电阻硅化镍区域(64，66)。