[发明专利]用于等离子体限定的晶片区域压力控制有效
| 申请号： | 01820053.2 | 申请日： | 2001-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1479936A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | H·泰荣;D·W·本青;A·R·埃林贝 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理室，它可提供改进的晶片区域压力控制器。等离子体处理室是与用于产生和保持等离子体的装置连接的真空室，该装置的一部分是腐蚀气体源和排气口。限定环限定晶片上方的一定区域，晶片区域压力与限定环上的压降有关。限定环是晶片区域压力控制装置的一部分，它提供大于100％的晶片区压力控制范围。该晶片区域压力控制装置可以是在保持器上的3个可调节限定环和限定块，可以用于提供所需的晶片区域压力控制。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 限定 晶片 区域 压力 控制 | ||
【主权项】：
1、一种用于控制压力的设备，包括：真空室；流体连接到真空室的排气口；流体连接到真空室的气体源；和晶片区域压力控制装置，其中，所述晶片区域压力控制装置包括：在真空室内的第一可调节限定环；在真空室内的第二可调节限定环；在真空室内的可调节限定块；和控制第一可调节限定环、第二可调节限定环和可调节限定块的升降的控制器。
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