[发明专利]带有用于改善光提取的锥形侧壁的激光分离的管芯无效
| 申请号： | 01819122.3 | 申请日： | 2001-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1476365A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 伊凡·埃里亚希维奇;马克·戈特弗里德 | 申请（专利权）人： | 爱莫科公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于将诸如LED的单独的光电器件从晶圆分开的方法，包括：使具有一宽度的激光束(256)对准半导体晶圆的主面。该激光束具有一图象，其具有第一部分和第二部分，该第一部分具有每单位宽度的第一能量，该第二部分具有每单位宽度的第二能量，第二能量小于第一能量。激光束图象(266)切入半导体晶圆的第一主面以产生单独的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 用于 改善 提取 锥形 侧壁 激光 分离 管芯 | ||
【主权项】：
1.一种用于将单独的光电器件从半导体晶圆分离出来的方法，包括：使具有一宽度的激光束对准所述晶圆的第一主面，以将每单位宽度的第一能量施加给位于所述器件之间的所述晶圆的第一部分，将每单位宽度的第二能量施加给邻近所述第一部分的所述晶圆的第二部分，所述第二能量小于所述第一能量；使所述激光束扫过所述第一主面，以形成凹槽；以及将至少一个器件从所述晶圆分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱莫科公司，未经爱莫科公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01819122.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
