[发明专利]大信道宽度的磁性随机存取内存排列选择晶体管无效
| 申请号： | 01818756.0 | 申请日： | 2001-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1613116A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | T·贝姆;H·霍恩格施米德;T·罗伊赫 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;孙黎明 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明系关于一MRAM排列，其包括一选择晶体管(T)连接至数MTJ记忆胞元(1)，并具加大之信道宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 信道 宽度 磁性 随机存取 内存 排列 选择 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种MRAM排列，具有多个设置在记忆胞元场内的矩阵形排列MTJ记忆胞元(1)，这些MTJ记忆胞元(1)均位于朝记忆胞元场的第一个方向延伸的位线(BI-B4)及平板线(PL)之间，具有与MTJ记忆胞元(1)相隔一定距离且逐行对应、并在记忆胞元场内朝垂直于第一个方向的第二个方向延伸的数字线(D1-D4)，具有与平板线(PL)连接的选择晶体管(T)，选择晶体管(T)的闸极连接线与字线(W1-W4)连接，且其源极--汲极段位于平板线(PL)及参考电位之间，这种MRAM排列的特征为：配属于选择晶体管(T)的多个MTJ记忆胞元(1)的配属方式能够使选择晶体管(T)可以依据配属于它的MTJ记忆胞元(1)的数量决定其信道宽度。
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