[发明专利]磁阻存储器无效
| 申请号： | 01818274.7 | 申请日： | 2001-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1509474A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | M·弗赖塔格;H·霍恩格斯米德;D·戈尔;S·拉梅斯 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一个由多个磁存储单元构成的单元阵列的引线形状(所述单元阵列由纵引线和横引线的矩阵构成)通过偏离引线的正方形横截面而得以优化，以使位于单元阵列平面内的写电流磁场分量Bx随着与交叉点的距离的增大而非常迅速地减小。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻存储器(MRAM)，其具有多个磁存储单元(1，2)，所述磁存储单元分别位于由一个纵引线和横引线(3，4)矩阵构成的单元阵列的各交叉点上并连接到所述引线(3，4)上，该些引线设置用于传导读电流和写电流，其中，如果进行写操作，由相应引线(3，4)中的写电流产生的磁场加在一个随机定叉点上，并由此在该交叉点上实现所述存储单元(1，2)的磁化反转，该存储器的特征在于所述引线(3，4)的形状通过偏离其正方形横截面(13)而得以优化，以使位于单元阵列平面内的磁场分量Bx随着距交叉点的距离的增大而非常迅速地减小。
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