[发明专利]氧化镁微粒聚集体有效
申请号: | 01817925.8 | 申请日: | 2001-10-25 |
公开(公告)号: | CN1471592A | 公开(公告)日: | 2004-01-28 |
发明(设计)人: | 东塚淳生;平津丰 | 申请(专利权)人: | 达泰豪化学工业株式会社 |
主分类号: | C23C22/00 | 分类号: | C23C22/00;C01F5/02;C21D9/46;C21D1/70 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种氧化镁微粒聚集体,其特征在于,在微粒的累积微孔容积曲线中,第一拐点直径为大于0.30×10-6m而0.60×10-6m以下或微粒间空隙量为大于0.80×10-3而小于1.40×10-3m3·kg-1,且微粒内空隙量为0.50×10-3~0.90×10-3m3·kg-1以及微孔容积为0.04×10-3~0.11×10-3m3·kg-1。本发明通过控制微粒凝聚结构,能够适当地控制氧化镁和表面的SiO2被膜之间的固—固相反应。 | ||
搜索关键词: | 氧化镁 微粒 聚集体 | ||
【主权项】:
1、一种氧化镁微粒聚集体,其特征在于,在微粒的累积微孔容积曲线中,第一拐点直径大于0.30×10-6m而0.60×10-6m以下,微粒内空隙量为0.50×10-3~0.90×10-3m3·kg-1以及微孔容积为0.04×10-3~0.11×10-3m3·kg-1。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C22-00 表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理,例如转化层、金属的钝化
C23C22-02 .使用非水溶液的
C23C22-05 .使用水溶液的
C23C22-70 .使用熔体
C23C22-73 .以工艺为特征的
C23C22-78 .待镀覆材料的预处理
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