[发明专利]采用回蚀工艺的低缺陷SiGe的层移植有效
| 申请号： | 01817655.0 | 申请日： | 2001-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1531751A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 杰克·O·楚;戴维·迪米利亚;黄丽娟 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种在无应力绝缘层上SiGe (SGOI)上形成应变Si或SiGe，或者形成Si异质结构上SiGe的方法，该方法包括在半导体基底上引入外延生长的Si1－yGey层，通过化学抛光使表面平滑，通过热处理使两个基底键合在一起，通过将SiGe本身用作阻蚀层的高选择性蚀刻将SiGe层从一个基底移植到另一个基底。移植的SiGe层可以使其上表面经过CMP的平滑化处理，以便外延沉积无应力Si1－yGey，和取决于成分：应变Si、应变SiC、应变Ge、应变GeC和应变Si1－yGeyC或高浓度掺杂层的应变Si1－yGey，从而得到的应变SiGe/Si异质结二极管的电性接触。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 工艺 缺陷 sige 移植 | ||
【主权项】：
1.制备绝缘层上无应力SiGe层(30)和SiGe/Si异质结构的方法，所述方法包括如下步骤：在第一单晶半导体基底(10)上形成梯度Si1-xGex外延层(20)；在所述梯度Si1-xGex层上形成无应力Si1-yGey外延层(30)；使所述无应力Si1-yGey外延层的表面平滑，以提供在约0.3nm～1nm均方根(RMS)范围内的表面粗糙度；选择第二基底(80)，所述第二层基底带有或不带有绝缘层，该绝缘层的大部分表面的表面粗糙度在约0.3nm～1nm RMS的范围内；将所述第一基底上的所述无应力Si1-yGey外延层的所述上表面(32)与所述第二基底的上表面(90)键合，所述键合步骤包含进行退火以在键合界面上达到足够强的键合，从而形成单机械结构的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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