[发明专利]用于清洗微电子基底的稳定的碱性组合物有效
| 申请号： | 01817467.1 | 申请日： | 2001-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1469918A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | D·C·斯基 | 申请（专利权）人： | 马林克罗特贝克公司 |
| 主分类号： | C11D3/00 | 分类号： | C11D3/00;C11D7/32;C11D7/26;G03F7/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 钟守期;郭广迅 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种水性碱性组合物，它在微电子工业中通过除去光致抗蚀剂残余物和其它不利污染物来剥离或清洗半导体晶片基底。这些组合物一般含有(a)一种或多种不含金属离子的碱，其用量足以产生约为10－13的pH值，和一种或多种浸浴稳定剂，它至少有一个pKa值为10－13，以在使用过程中保持此pH值；(b)视需要加入约0.01(重量)％－约5(重量)％(用SiO2％表示)的不含金属离子的水溶性硅酸盐；(c)视需要加入约0.01(重量)％－约10(重量)％的一种或多种螯合剂；(d)视需要加入约0.01(重量)％－约80(重量)％的一种或多种水溶性有机助溶剂；和(e)视需要加入约0.01(重量)％－约1(重量)％的水溶性表面活性剂。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 清洗 微电子 基底 稳定 碱性 组合 | ||
【主权项】：
1.一种用来剥离或清洗集成电路基底的组合物，包含：(a)一种或多种不含金属离子的碱；(b)至少一种浸浴稳定有效量的浸浴稳定剂，包含至少一种至少有一个pKa值为10-13的化合物；和(c)水。
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