[发明专利]用源极侧硼注入的非易失性存储器有效
| 申请号： | 01817027.7 | 申请日： | 2001-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1468447A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | S·哈达;M·W·兰道夫;何月松;T·图尔盖特;张稷;黄雅之 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造闪存单元(32)的方法，包括下列步骤：提供一个在其上有闪存单元(32)的基底(30)；在该基底(30)上生长一个自对准源极掩模(48)，该自对准源极掩模(48)会根据源极线而有相对应的开口(50)；经由自对准源极掩模(48)上与源极线相对应的开口(50)，在基底(30)内注入第一类的源极杂质(52)；从基底(30)上移除该自对准源极掩模(48)；在基底(30)上生长一层MDD掩模(54)，该MDD掩模(54)会覆盖在源极线(52)上，而且有对应至漏极线的开口(56)；以及注入第二类中等剂量漏极注入子，而在毗邻闪存单元(32)的基底(30)内，形成漏极区域(58)。 | ||
| 搜索关键词： | 用源极侧硼 注入 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种制造闪存单元(32)的方法，该方法包含：提供一个在其上有闪存单元(32)的基底(30)；在该基底(30)上生长一个自对准源极掩模(48)，该自对准源极掩模(48)会根据源极线而有相对应的开口(50)；经由自对准源极掩模(48)上与源极线(52)相对应的开口(50)，在基底(30)内注入第一类的源极杂质；从该基底(30)上移除该自对准源极掩模(48)；在该基底(30)上生成一个MDD掩模(54)，该MDD掩模(54)覆盖在源极线(52)之上，而且有对应至漏极线的开口(56)；以及注入第二类中等剂量漏极注入子，在毗邻闪存单元(32)的基底(30)内，形成漏极区域(58)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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