[发明专利]内含沟道型肖特基整流器的沟道型DMOS晶体管

摘要

一种集成电路，其在一个或多个整流器区内具有多个沟道型肖特基势垒整流器，在一个或多个晶体管区内具有多个沟道型DMOS晶体管。该集成电路包含：(a)第一导电类型的衬底；(b)衬底上的第一导电类型的外延层，其中外延层具有比衬底低的掺杂度；(c)晶体管区的外延层内的第二导电类型的多个体区；(d)晶体管区和整流器区的外延层内的多个沟道；(e)衬贴沟道的第一绝缘层；(f)位于沟道内并覆盖第一绝缘层的多晶硅导体；(g)在与沟道相邻的体区内的多个第一导电类型的源极区；(h)晶体管区的掺杂多晶硅层上的第二绝缘层；以及(i)晶体管区和整流器区上的电极层。

主权项

1.一种集成电路的制造方法，所述的集成电路在一个或多个整流器区内含有多个沟道型肖特基势垒整流器，在一个或多个晶体管区内含有多个沟道型DMOS晶体管，该方法包含：提供第一导电类型的衬底；在上述衬底上形成所述第一导电类型的外延层，所述外延层具有比所述衬底低的掺杂度；在所述晶体管区的所述外延层内形成第二导电类型的一个或多个体区；在所述晶体管区和所述整流器区的外延层内形成多个沟道；形成衬贴所述沟道的第一绝缘层；在所述沟道内形成多晶硅导体，并覆盖第一绝缘层；在与所述沟道相邻的所述体区内形成所述第一导电类型的多个源极区；在所述晶体管区内的所述多晶硅导体上形成第二绝缘层；以及在所述晶体管区和所述整流器区上形成电极层。