[发明专利]制造半导体元件的方法及其半导体元件有效
| 申请号： | 01816887.6 | 申请日： | 2001-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN1468443A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 哈尔代恩·S·亨利;达赖尔·G·西尔;乔纳森·K·阿布洛克瓦;马里穆·G·萨达卡 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体元件的方法包括在一个基片(110)上形成第一电容器电极(126)，在该第一电容器电极(126)上形成电容器绝缘层(226)，并且在该电容器绝缘层(226)上形成第二电容器电极(326)。该电容器绝缘层(226)由铝所制成。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 元件 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体元件的方法包括：在一个基片上形成第一绝缘层，该第一绝缘层包含铝；在该第一绝缘层上形成第二绝缘层，该第二绝缘层基本上不含铝；在该第二绝缘层上形成第一导电层；蚀刻该第一导电层；以及在形成该第一导电层之后，蚀刻该第二绝缘层，以暴露至少一部分第一绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
