[发明专利]薄膜构造体的制造方法有效
| 申请号： | 01816686.5 | 申请日： | 2001-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1468450A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 奥村美香;堀川牧夫;石桥清志 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;G01P15/125;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏;杨松龄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的主要目的在于提供一种不除去其他绝缘膜地除去牺牲膜的薄膜构造体的制造方法。为达到上述目的，在形成将配线(45)的表面开口的固定孔(52)时，对牺牲膜(51)采用2个蚀刻工序。在第1蚀刻工序一面将牺牲膜(51)残留，一面在配线(45)的上方以具有各向异性的干蚀刻将牺牲膜(51)部分地除去。在第2蚀刻工序以具有各向同性的湿蚀刻将残留在配线(45)的上方的牺牲膜(51)除去。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 构造 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜构造体的制造方法，其特征在于具备：(a)在第1绝缘膜(33)上有选择地形成配线(43、45)的工序；(b)在前述配线上与前述第1绝缘膜上形成第2绝缘膜(47)的工序，该第2绝缘膜(47)具有有选择地露出前述配线的孔部(47c)；(c)在前述第2绝缘膜上形成牺牲膜(51)的工序；(d)采用各向异性蚀刻，形成前述牺牲膜残存在前述第1绝缘膜侧的凹部(51c)的第1蚀刻工序；(e)采用各向同性蚀刻，除去残存于前述凹部的前述第1绝缘膜侧的前述牺牲膜，形成露出前述配线的固定孔(52)的第2蚀刻工序；(f)在前述固定孔与前述牺牲膜上以导电材料形成薄膜层(53)的工序；(g)以蚀刻除去前述牺牲膜的工序。
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