[发明专利]用于清洁半导体设备上有机残余物和等离子蚀刻残余物的组合物无效
| 申请号： | 01814265.6 | 申请日： | 2001-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1447754A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | R·J·斯莫尔;B·P·帕特尔;W·M·李;J·戴沃特;C·里德 | 申请（专利权）人： | EKC技术公司 |
| 主分类号： | B44C1/22 | 分类号： | B44C1/22;C09K13/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沙捷,彭益群 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于二氧化硅蚀刻从基片上将光致抗蚀剂剥离并清洁残余物的组合物，其包括约0.01wt％到10wt％的一种或多种氟化物、约10wt％到95wt％的亚砜或砜溶剂以及20wt％到50wt％的水。该组合物可包含阻蚀剂、螯合剂、共溶剂、碱性胺化合物、表面活性剂、酸和碱。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 清洁 半导体设备 有机 残余物 等离子 蚀刻 组合 | ||
【主权项】：
1、一种用于从基片上剥离光致抗蚀剂并清洁蚀刻残余物的组合物，其包括约0.01wt％到10wt％的一种或多种氟化物化合物；约15wt％到50wt％的水；约10wt％到95wt％的一种化合物，该化合物是有机亚砜或砜溶剂，以及约0.1wt％到15wt％碱性胺化合物，其中所述有机亚砜对应于下面的结构式：其中R1和R2为H、OH或烷基，R1和R2中至少有一个是烷基，所述砜溶剂对应于下面的结构式：其中R3-R10独立地为H或烷基。。
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