[发明专利]具有受吸气层保护的氢退化介电层的集成电容器件无效
| 申请号： | 01813251.0 | 申请日： | 2001-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1444773A | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 马科·阿米奥蒂;杰·H·江;克劳迪奥·波菲托 | 申请（专利权）人： | 工程吸气公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种集成器件，它包括一个由介电层隔开的第一和第二电极层形成的薄膜电容，介电层由可氢退化的化合物形成，其特征在于它进一步包括至少一层吸气层，吸气层由下列材料之一制成：锆、钒和铁组成的合金(可选地可含有少量锰和/或稀土元素)，或锆与铁、钴、镍至少其中之一组成的合金(可选地可含有至多15％(重量百分比)的稀土元素)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 吸气 保护 退化 介电层 集成 电容 器件 | ||
【主权项】：
1.一种集成器件，包括由第一和第二电极层形成的薄膜电容，电极层被由可氢退化的化合物组成的一个介电层分开，该集成结构可选地包括支撑层和电容下电极层之间的粘合金属层，在电容的上电极层之上的保护层和覆盖电容结构的中间介电层，其特征在于它包括一吸气层，吸气层由下列材料组成的组中的材料制成：锆、钒和铁组成的合金，可选地可含有少量锰和/或稀土元素，锆与铁、钴、镍至少其中之一组成的合金，可选地可含有至多达15％重量百分比的稀土元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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