[发明专利]半导体元件的接触连接方法无效
| 申请号： | 01813237.5 | 申请日： | 2001-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1443368A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | H·许布纳;V·克里佩 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 将含有至少两种金属或半导体元素的低共熔或化学计量组合物制成的焊料涂敷在半导体元件(1)的一触点(2)上，再使之与喷镀金属的薄膜(4)的金属层(3)相接触，通过加热使焊料与薄膜的金属层熔成合金，从而产生一具有较高熔点的导电连接。尤其适用与此用途的焊料是Bi22In78(熔点73℃)、Bi43Sn57、In52Sn48、BiIn或BiIn2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 接触 连接 方法 | ||
【主权项】：
1、一种使半导体元件(1)与具有一金属层(3)的薄膜(4)进行接触连接方法，其中：第一步，首先将含有至少两种金属元素或半导体材料并且其熔点温度不会损坏塑料薄膜的焊料涂敷在半导体元件触点(2)与薄膜金属层之间；然后，第二步，促使焊料熔化，然后再固化，以此产生一永久性导电连接，所生成的连接材料的熔点高于所涂敷焊料的熔点。
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