[发明专利]电子材料的制造方法

摘要

本发明涉及构造硬掩膜。一个实施方案涉及到在直接形成图案的过程中把前驱体转化为顶表面图案层。本发明的另一个实施方案是在基底上形成刻蚀图案的方法。本发明的再一个实施方案是在基底上形成注入区的方法。优选的前驱体由一种金属络合物形成，该金属络合物含有至少一种配位体和至少一种金属，所述配位体选自乙酰丙酮化物、羧酸根、烷氧基、叠氮基、羰基、硝酸基、胺、卤素基、硝基和它们的混合物；所述金属选自Li、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ba、La、Pr、Sm、Eu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Pb、Th、U、Sb、As、Ce、Mg和它们的混合物。

主权项

1.在基底上形成硬掩膜的方法，该方法包括如下的步骤：选择至少一种前驱体材料；在基底的顶上形成一层含有该前驱体的层；将至少一部分该前驱体层进行转化；将该前驱体层显影，由此在该前驱体层上形成图案，以及将该图案转移到基底上，由此在形成图案时不使用光刻胶。