[发明专利]消除自动掺杂和背面晕圈的外延硅晶片无效
| 申请号： | 01810808.3 | 申请日： | 2001-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN1434883A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | M·里斯;C·C·扬;R·W·斯坦德利 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静,李峥 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种单晶硅晶片，晶片的背面没有密封的氧化物，并且基本上没有化学汽相淀积工艺引入的晕圈。并在衬底正面上有外延硅层，外延硅层的特征在于从晶片的中心轴朝晶片的圆周边径向向外延伸的轴向对称区其电阻率基本上均匀，轴向对称区的半径为晶片半径长度的至少约80％。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 自动 掺杂 背面 外延 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅晶片，该单晶硅晶片包括：具有中心轴、通常垂直于中心轴的正面和背面、圆周边、以及从中心轴向晶片圆周边延伸的半径的硅晶片衬底，所述背面没有密封的氧化物，并且基本上没有化学汽相淀积工艺引入的晕圈，该硅晶片衬底包括P型或N型掺杂剂原子；以及在硅晶片衬底正面上的外延硅层的特征在于从中心轴朝圆周边径向向外延伸的轴向对称区，其中电阻率基本上均匀，轴向对称区的半径为至少约80％的衬底半径长度，外延硅层包括P型或N型掺杂剂原子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司，未经MEMC电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01810808.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：树脂封装用模具装置及树脂封装方法
- 下一篇：预切削机和磨边机
