[发明专利]Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件

摘要

一种抑制贯通转位的III族氮化物系化合物半导体。将GaN层31腐蚀成点状、条纹状或格栅状等小岛状态设置台阶，在底部形成掩膜4、厚度是其上面在比GaN层31的上面低的位置。以台阶上层的上面31a及侧面31b作为核，通过使GaN 32横向外延成长把台阶部分填埋后、也能使在上方成长。这时GaN 32横向外延成长的掩膜4的上部能制成抑制GaN层31具有的贯通转位传播的区域。

主权项

1.一种III族氮化物系化合物半导体的制造方法，通过在基板上外延成长而得到III族氮化物系化合物半导体，其特征在于，包括：通过腐蚀将基底层制成随着从基板面远离其水平截面积接近于零的点状、条纹状或格栅状等小岛状态的工序，所述基底层至少由一层III族氮化物系化合物半导体构成，最上层为第一III族氮化物系化合物半导体；形成掩膜的工序，在所述第一III族氮化物系化合物半导体上仅使小岛状态的第一III族氮化物系化合物半导体的顶点附近露出；外延成长工序，以从所述掩膜露出的第一III族氮化物系化合物半导体顶点附近作为核使第二III族氮化物系化合物半导体纵向及横向外延成长。