[发明专利]用于在直拉法生长的硅晶体中得到低电阻率的多级砷掺杂法无效
| 申请号： | 01810287.5 | 申请日： | 2001-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN1432076A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | M·巴纳;M·库尔卡尼;C·威特默二世 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立,吴鹏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法，该方法通过以多级形式将砷掺杂剂加到熔体中，降低用直拉晶体生长法生产出的硅晶体的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 直拉法 生长 晶体 得到 电阻率 多级 掺杂 | ||
【主权项】：
1.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：掺杂剂以至少2级的形式加入。
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