[发明专利]磁场传感器无效
| 申请号： | 01809732.4 | 申请日： | 2001-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN1429342A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | T·阿斯利;C·T·埃利奥特;T·J·菲利普斯 | 申请（专利权）人： | 秦内蒂克有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06;H01L43/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种霍耳效应磁场传感器(10，50)，它包括载流子排除或抽取装置(36，66)，用来降低对有源区(14e，53e)中的载流子浓度的本征贡献，以便使传感器工作于非本征饱和区。这就提供了能够使传感器(10，50)的磁场测量灵敏度对传感器温度基本上不灵敏，从而改善测量精度的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种组合有半导体传感器元件(10，50)的磁场传感器，此半导体传感器元件具有有源区(14e，53e)，其中在工作中产生响应磁场的信号，其特征是此传感器元件(10，50)：a)当不被偏置并在正常工作温度下时，处于至少部分本征导电区中；b)包括一个可偏置的结(36，110)，以便降低有源区(14e，53e)中的本征导电，并将电荷载流子主要限制为仅仅对应于非本征饱和区的一种类型；以及c)包括用来探测有源区(14e，53e)中响应于外加磁场而产生的信号的装置。
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