[发明专利]半导体器件上形成导电覆层的方法有效
| 申请号： | 01808672.1 | 申请日： | 2001-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1426596A | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | T·阿恩博里;U·史密斯 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/78;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 瑞典斯德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一块半导体小片(307)上形成一层导电层(309)，首先是将一片半导体晶片(303)固定在一片支撑片(305)上，然后将半导体晶片切成小片，最后在小片的侧边淀积一层导电层(311)。导电层最好是一层金属层，它伸展到支撑片上，以确保当去除支撑片之后在整个半导体小片的侧壁上到处都铺伸着导电层。本方法能在许多小片上同时覆盖上导电层。此导电层使得由趋肤效应引起的靠近小晶片边缘流动的射频范围电流的电阻下降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 导电 覆层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体小片上形成导电层的方法，其特征在于，其顺序步骤为：-将半导体晶片固定在支撑片上，-将半导体晶片切割成小片形成小片上的侧向表面，以及-在小片的侧向表面上淀积一层导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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