[发明专利]采用上游和下游流体分配装置的化学机械抛光方法和设备无效

专利信息
申请号: 01808391.9 申请日: 2001-12-07
公开(公告)号: CN1426343A 公开(公告)日: 2003-06-25
发明(设计)人: H·V·恩古芸;A·J·霍夫;H·范克拉宁伯格;P·H·维尔利 申请(专利权)人: 皇家菲利浦电子有限公司
主分类号: B24B57/02 分类号: B24B57/02;B24B37/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 肖春京,章社杲
地址: 荷兰艾恩*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及到一种用来对晶片表面进行化学机械抛光的化学机械抛光设备的装置,它包含抛光垫(4)、驱动单元(9)、加压装置(6)、晶片支持器(5)、第一分配装置(7)、以及第二分配装置(8);用来支持晶片(W)的晶片支持器被安置在支持器位置(L0)处;加压装置(6)被安排来将晶片支持器(5)压向抛光垫(4);用来将第一流体分配到抛光垫(4)上的第一分配装置(7),被安排在第一分配装置位置(L1)处;用来将第二流体分配到抛光垫(4)上的第二分配装置(8),被安排在第二分配装置位置(L2)处;抛光垫(4)包含用来抛光晶片(W)的抛光表面,且抛光垫(4)还被连接到用来沿第一方向(ω1)相对于支持器位置(L0)移动抛光表面的驱动单元(9);其中的第一分配装置(7)的第一分配装置位置(L1)相对于支持器位置(L0)被安置在下游方向第一下游距离(d1)处,其下游方向相对于第一方向(ω1)选取;而第二分配装置(8)的第二分配装置位置(L2)相对于支持器位置(L0)被安置在上游方向第一上游距离(d3)处,其上游方向相对于第一方向(ω1)选取。本发明还涉及到采用这一装置的化学机械抛光方法。
搜索关键词: 采用 上游 下游 流体 分配 装置 化学 机械抛光 方法 设备
【主权项】:
1.用来对晶片表面进行化学机械抛光的化学机械抛光设备的装置,它包括抛光垫(4)、驱动单元(9)、加压装置(6)、晶片支持器(5)、第一分配装置(7)、以及第二分配装置(8);用来支持晶片(W)的晶片支持器被安置在支持器位置(L0)处;加压装置(6)被设置成将晶片支持器(5)压向抛光垫(4);用来将第一流体分配到抛光垫(4)上的第一分配装置(7)被安排在第一分配装置位置(L1)处;用来将第二流体分配到抛光垫(4)上的第二分配装置(8)被安排在第二分配装置位置(L2)处;抛光垫(4)包含用来抛光晶片(W)的抛光表面,且抛光垫(4)还被连接到用来沿第一方向(ω1)相对于支持器位置(L0)移动抛光表面的驱动单元(9);其特征在于,第一分配装置(7)的第一分配装置位置(L1)相对于支持器位置(L0)被设置在下游方向第一下游距离(d1)处,其下游方向相对于第一方向(ω1)选取;第二分配装置(8)的第二分配装置位置(L2)相对于支持器位置(L0)被设置在上游方向第一上游距离(d3)处,其上游方向相对于第一方向(ω1)选取。
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