[发明专利]带开关场效应电容器的可调谐集成RF滤波器无效
| 申请号： | 01806984.3 | 申请日： | 2001-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1419740A | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | D·M·W·莱奈尔茨;E·C·迪克曼斯 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H11/12 | 分类号： | H03H11/12;H03H11/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述一种滤波器(3)，该滤波器备有场效应(FET)电容器(M1－32；M’1－32)，其安排用于控制它们各自的电容量，每个这样的FET电容器(M1－32；M’1－32)都带有一个源(S)和一个漏(D)。每个FET电容器(M1－32；M’1－32)的源(S)和漏(D)都是相互耦合着的。作为一个阻抗变换器的该滤波器是无源低功耗的，而且是可调谐的滤波器，比如用在射频(RF)接收器中。当集成到芯片上时，它占据很小的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 场效应 电容器 调谐 集成 rf 滤波器 | ||
【主权项】：
1.一种滤波器(3)，带有场效应(FET)电容器(M1-32；M’1-32)，其安排用于控制它们各自的电容量，每个这样的FET电容器(M1-32；M’1-32)都带有一个源(S)和一个漏(D)，其特征在于，每个FET电容器(M1-32；M’1-32)的源(S)和漏(D)相互耦合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家菲利浦电子有限公司，未经皇家菲利浦电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01806984.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：寻呼公用陆地移动网络（PLMN）中的移动站
- 下一篇：卡用连接装置
