[发明专利]制造NAND闪存的单隧道栅极氧化工艺

摘要

一种用以制造NAND存储器串的单隧道栅极氧化工艺，其中选择晶体管和浮栅存储晶体管的栅极氧化物(24)以单一氧化步骤制成。该选择栅极晶体管和浮栅晶体管所具有的氧化物厚度为85～105。以单隧道栅极方法而言，为了使NAND存储器串功能正常，必须小心选择中度掺杂源极/漏极区域(62)的注入条件。在一实施例中，中度掺杂源极/漏极区域(62)以砷掺杂至浓度为1013至1014/cm2。

主权项

1.一种NAND闪存，其包括：一基底(20)；一第一导电率类型的第一区域(22)；一选择晶体管(12)，其包括：形成于该第一区域上的选择栅极氧化物层(24)；以及形成于该第一区域上的第二导电率类型的第二区域(62)；以及一存储单元(13)，其包括：形成于该第一区域上的存储单元氧化物层(24)；以及形成于该第一区域上的第二导电率类型的第三区域(62)；其中该选择栅极氧化物层和该存储单元氧化物层具有基本相同的厚度。