[发明专利]单晶硅晶片及单晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 01805741.1 | 申请日： | 2001-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1406292A | 公开（公告）日： | 2003-03-26 |
| 发明（设计）人： | 樱田昌弘;小林武史;森达生;布施川泉;太田友彦 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法(CZ法)生长单晶硅晶片，其特征为对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生OSF的外侧的N区域，不存在通过Cu淀积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高氧化膜耐压等电气特性的CZ法，在稳定的制造条件下，制造既不属于富含空孔的V区域、OSF区域，也不属于富含晶格间隙硅的I区域的硅单晶晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅晶片，其是通过切克劳斯基(cz)法生长的单晶硅晶片，其特征为：在全晶片内进行热氧化处理时，环状地发生OSF的外侧的N区域，不存在通过Cu淀积所检测出的缺陷区域。
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