[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管的驱动电路和方法

摘要

用于诸如MOSFET(12)之类的绝缘栅半导体器件的触发电路(10)包括在电路中连接到MOSFET栅极(20)的电荷存储器件(14)和高速开关器件(16)。高速开关器件能够在比MOSFET规定导通延迟时间短的第一时间周期中在截止和导通状态之间切换，并且可进一步控制高速开关器件，使电荷在存储器件和栅极之间移动，以致MOSFET在比MOSFET的规定上升时间或下降时间短的第二时间周期中在截止状态和导通状态之间切换。

主权项

1.一种用于绝缘栅半导体器件的触发电路，所述绝缘栅半导体器件包括作为第一端子的栅极，并进一步包括至少第二和第三端子，其特征在于，所述电路包括：-在电路中连接到器件的栅极的电荷存储器件和高速开关装置；-高速开关装置能够在比绝缘栅器件的规定导通延迟时间短的第一时间周期中在截止和导通状态之间切换；以及-可控制高速开关装置，使之移动存储器件和绝缘栅器件栅极之间的电荷，以致绝缘栅器件在比绝缘栅器件的规定上升时间或下降时间短的第二时间周期中在截止状态和导通状态之间切换。