[发明专利]掺杂半导体层的方法,制造薄膜半导体器件的方法及薄膜半导体器件无效
| 申请号： | 01805083.2 | 申请日： | 2001-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1401134A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 町田晓夫;碓井节夫;达拉姆·P·戈塞恩 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波,侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在优异的控制之下，可以形成一较低浓度杂质扩散区，即使是采用低耐热材料的基底。在掺杂半导体层时，由能量束穿透的例如侧壁(24)的掩模形成在半导体层(21)的表面的一部分，掺杂离子(25)吸附在半导体层表面上除了形成掩模的区域之外的区域，并且一能量束EBL辐射到具有形成的掩模的半导体层(21)上，以将掺杂离子引入到半导体层(21)。在例如侧壁(24)的掩模的较低部分，发生横向的扩散，可以在优异的控制之下以优异的重复性形成较低浓度杂质扩散区域。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 半导体 方法 制造 薄膜 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂半导体层的方法，包括如下步骤：在半导体层的表面的一部分形成一能量束可穿透掩模；在除了形成掩模的区域之外的半导体层的表面吸附掺杂离子；以及通过将能量束辐射到具有形成的掩模的半导体层上，以将该掺杂离子引入到半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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