[发明专利]基片加工方法有效
申请号: | 01804554.5 | 申请日: | 2001-12-04 |
公开(公告)号: | CN1473357A | 公开(公告)日: | 2004-02-04 |
发明(设计)人: | 近藤文雄;三岛浩二;田中亮;铃木庸子;户川哲二;井上裕章 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L21/288 | 分类号: | H01L21/288;H01L21/768;H01L21/00;B24B7/22 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡洪贵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种基片加工方法,包括在一个基片的表面上形成铜膜的步骤。这些步骤包括:通过电镀将第一金属填充到沟道中以便在基片的整个表面上形成一个第一金属的镀膜的步骤,其中通过虚阳极调节电磁场,以便基片的中心部分和周边部分之间的镀膜厚度的差被最小化,并且通过将基片压在抛光表面上抛光并去除镀膜,其中,在中心部分和周边部分处将基片压在抛光表面上的压力被调节。 | ||
搜索关键词: | 加工 方法 | ||
【主权项】:
1、一种将金属填充到基片表面上的细沟道中的方法,包括:在基片上形成阻挡层,并在阻挡层上形成籽晶层;提供一个电镀设备,该电镀设备具有一个用于保持基片的第一基片保持件、一个容纳电镀液的电镀池、一个阳极和一个调节电磁场的虚阳极;提供一个抛光设备,该设备具有一个用于保持基片以便在基片的中心部分和周围部分以不同的压力将基片压在一个抛光表面上的第二基片保持件;将具有阻挡层和籽晶层的基片输送到电镀设备;将基片保持在第一基片保持件中并且将基片置于电镀液中;产生电磁场;通过电镀将第一金属填充到沟道中并在基片的整个表面上形成第一金属的电镀膜,其中,利用虚阳极调节电磁场,以便在基片中心部分和周围部分之间的电镀膜的厚度差被最小化;从电镀池中移出基片;在电镀设备中洗涤和干燥该基片;将基片输送到抛光设备;将基片保持在第二基片保持件中;通过将基片压在抛光表面上抛光并去除电镀膜,其中,在中心部分和周围部分将基片压到抛光表面上的压力被调节;在抛光设备中洗涤和干燥该基片;并且从抛光设备输送基片。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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