[发明专利]单晶片的制造方法及研磨装置以及单晶片无效
| 申请号： | 01803238.9 | 申请日： | 2001-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1394355A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 祢津茂义;桝村寿 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种单晶片的制造方法及研磨装置以及单晶片，控制单晶片外周部的塌边，特别是使近年来所要求的毫微米拓朴的数值变佳。为了解决此课题，本发明的手段为对于使单晶片表面镜面化的研磨工序中，为了产生单晶片的基准面，而进行单晶片的背面研磨。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 方法 研磨 装置 以及 | ||
【主权项】：
1.一种单晶片的制造方法，是将单晶片表面镜面化的研磨工序，其特征在于：为了产生单晶片的基准面，进行单晶片的背面研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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