[发明专利]具有同心环形板阵列的用于深亚微型CMOS的多层电容器结构无效
| 申请号： | 01800767.8 | 申请日： | 2001-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1411610A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | V·瓦图尔亚;T·索拉蒂 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L27/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电容器结构(20)包括第一和至少第二同心环形导线(22－25)的导体级(L1－L4)。所述第一和至少第二级的导线被排列成同心的环形堆叠体。介电材料(26－29)被设置在第一和第二导体级之间以及每个级的同心导线之间。至少一个导电通路(32)电连接每个堆叠体中的导线，借以形成电容器板的同心阵列。所述电容器板的同心阵列以交替的方式和相反极性的第一、第二端子电连接，从而在阵列的相邻的板之间产生电容。所述电容器结构尤其适用于深亚微CMOS。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 同心 环形 阵列 用于 微型 cmos 多层 电容器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种电容器(20)，包括：同心导线(22)的第一导体级(L1)；同心导线(23)的至少第二导体级(L2)，所述第一级和所述至少第二级(L1，L2)的导线(22，23)被设置成同心的堆叠体；被设置在所述第一和第二导体级(L1，L2)之间以及每个级(L1，L2)的同心导线(22，23)之间的介电材料(27，28)；至少一个电连接每个堆叠体中的导线(22，23)的导电通路(32)，借以形成同心的电容器板(27A，27B)的阵列，每个导电通路(32)通过在第一和第二导体级(L1，L2)之间的介电材料(27)延伸；以及具有相反电极性的第一和第二端子(A，B)，其中同心的电容器板(27A，27B)的阵列以交替的方式和相反极性的端子(A，B)电连接，从而在所述阵列的相邻的板之间产生电容。
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