[发明专利]陶瓷的制法及其制造装置以及半导体器件和压电元件有效
| 申请号： | 01800706.6 | 申请日： | 2001-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1365400A | 公开（公告）日： | 2002-08-21 |
| 发明（设计）人： | 名取荣治 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C14/08;C23C14/22;H01L21/31;H01L21/316;H01L27/10;H01L41/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 陶瓷的制法包含在预定区域边供给至少成为陶瓷原材料一部分的物质的活性粒子(100A)和电磁波(200A),边形成陶瓷膜的工序。也可以在前述规定区域上形成由陶瓷原材料一部分的物质构成的膜。还包含在第1陶瓷膜(20a)上供给活性粒子(100A)和电磁波(200A),形成与第1陶瓷膜(20a)的结晶构造不同的第2陶瓷膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 制法 及其 制造 装置 以及 半导体器件 压电 元件 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷的制法，既包含在规定区域供给至少成为陶瓷原材料一部分的物质的活性粒子和电磁波，也包括形成陶瓷膜的工序。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
