[发明专利]用于生产陶瓷生片的铸型薄膜及生产该铸型薄膜的方法有效
| 申请号： | 01800084.3 | 申请日： | 2001-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1147388C | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 中村徹;柴野富四 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B28B1/30 | 分类号： | B28B1/30;B32B27/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘金辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于生产陶瓷生片的铸型薄膜及其生产方法，所述铸型薄膜包括一基底薄膜和形成在其上的含有光敏剂的加成反应型硅氧烷组合物的固化层，其中，所述固化层是通过如下方式形成的：在40～120℃的温度范围内，对一层含光敏剂的加成反应型硅氧烷组合物进行热处理，由固体含量表示的涂覆量在0.01～0.2g/m2的范围内，之后用紫外线辐射处理。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 陶瓷 铸型 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于生产陶瓷生片的铸型薄膜，包含基底薄膜和加成反应型硅氧烷组合物的固化层，该组合物包含：(1)具有己烯基官能团的聚有机硅氧烷，或具有己烯基官能团的聚有机硅氧烷与具有乙烯基官能团的聚有机硅氧烷的混合物；(2)光敏剂；(3)交联剂；和(4)铂基催化剂，通过将该加成反应型硅氧烷组合物以由固体含量表示的0.01～0.2g/m2的量涂覆到基底薄膜上的一层中，以40～120℃加热该层，而后用紫外线辐射经热处理的层，形成所述固化层。
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