[发明专利]测量霍尔效应的装置和方法无效

专利信息
申请号: 01145435.0 申请日: 2001-12-04
公开(公告)号: CN1365007A 公开(公告)日: 2002-08-21
发明(设计)人: 永宗靖;郑石焕;李根宅;金勋 申请(专利权)人: 常绿韩国株式会社
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12;G01N27/72
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 王志森,黄小临
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种用于利用霍尔效应测量半导体中的霍尔效应相关值如迁移率、载流子浓度和电阻率的装置和方法。样品装载到IC插座或类似的定标物,该目标固定到能够容纳注入的液氮的绝热材料容器的内部。利用一个移动元件测量霍尔效应相关值,该移动元件用于把一对永磁体移到绝热材料容器的外部。测量设备具有简单的结构,测量操作简单。根据由包含在霍尔电压测量单元中的恒定电流供给单元供给的恒定电流测量输入电压的电平。测量误差检测单元利用测得的输入电压的电平检测和显示样品的测量误差。因为在测量霍尔效应之前检测测量误差,所以可以排除该测量误差。
搜索关键词: 测量 霍尔 效应 装置 方法
【主权项】:
1.一种测量霍尔效应的装置,包括:将样品设置在其上的样品座;配置有样品座的样品容器;永磁体支架,在该支架中彼此面对地设立一对永磁体,永磁体支架与样品容器可接可拆地连接到样品容器,使得样品定位于一对永磁体之间;和霍尔电压测量装置,用于向样品施加电流并测量从样品输出的霍尔电压。
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