[发明专利]周期性波导结构半导体光电探测器及制作方法无效
| 申请号： | 01144710.9 | 申请日： | 2001-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1427486A | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 成步文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;H01S5/00;G01J1/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有周期性波导结构的光电探测器，它包括有：导波区，该导波区可对入射光进行吸收和传播，在导波区上制作周期光栅结构；上限制层，该上限制层生长在导波区之上，该上限制层的折射率小于导波区的折射率；下限制层，该下限制层制作在导波区下，该下限制层的折射率小于导波区的折射率；一衬底，上述结构均制作在该衬底上；在衬底及上限制层上分别制作下电极及上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 周期性 波导 结构 半导体 光电 探测器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有周期性波导结构的光电探测器，其特征在于，它包括有：导波区，该导波区可对入射光进行吸收和传播，在导波区上制作周期光栅结构；上限制层，该上限制层生长在导波区之上，该上限制层的折射率小于导波区的折射率；下限制层，该下限制层制作在导波区下，该下限制层的折射率小于导波区的折射率；一衬底，上述结构均制作在该衬底上；在衬底及上限制层上分别制作下电极及上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
