[发明专利]改善CMOS数字图像传感器成像质量的γ射线辐照方法无效
| 申请号： | 01144581.5 | 申请日： | 2001-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1142584C | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 孟祥提;康爱国 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;G01T1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 改善数字CMOS数字图像传感器图像质量用的辐照方法属于图像传感器技术和粒子辐照方法领域。其特征在于：辐照温度为室温，辐照剂量为40～120Krad；在γ射线辐照后进行退火，退火温度为室温至100℃，退火时间为40分钟至15天，退火时间随退火温度的升高而减小，气氛为空气。对于彩色CMOS图像传感器而言，同样在室温下辐照；辐照剂量不大于60Krad为宜。它对于不均匀性较大的CMOS数字图像传感器成像质量的改善效果十分明显，可提高优级品率，也可把不均匀性大而不能出厂的CMOS数字图像传感器变成合格产品，大大提高产品成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 cmos 数字图像 传感器 成像 质量 射线 辐照 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善CMOS数字图像传感器成像质量的γ射线辐照方法，其特征在于：辐照温度为室温，辐照剂量为40～120Krad；在γ射线辐照后进行退火，退火温度为室温至100℃，退火时间为40分钟至15天，其退火时间随着退火温度的升高而减少，气氛为空气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
