[发明专利]遥控晶体生长装置及其控制方法无效

专利信息
申请号: 01144139.9 申请日: 2001-12-12
公开(公告)号: CN1164801C 公开(公告)日: 2004-09-01
发明(设计)人: 葛培文;翟永亮;李超荣;庞玉璋;朱振和;霍崇儒 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C30B13/28 分类号: C30B13/28
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 方国成
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于单晶生长,涉及遥控半导体单晶区熔生长装置及其控制方法。本发明装置包括装有温度传感器的可变温场空间晶体生长炉,数据采集器、加热功率分配器,用于远程监控和显示的中央监控台和作为远程遥测遥控通道的无线电通讯设备。本发明控制方法是根据本发明建立的晶体区熔生长数学模型,保证晶体生长的遥测遥控精度和控温精度,由控制程序接受来自远程监控的中央监控台的控制和数据指令,操作晶体生长炉,由计算显示程序计算炉内晶体生长参数,模拟显示晶体生长过程,由数据通讯程序完成数据采集器和晶体生长炉、数据采集器和中央监控台之间的通讯控制。
搜索关键词: 遥控 晶体生长 装置 及其 控制 方法
【主权项】:
1.一种遥控晶体生长装置,包括一装有温度传感器的可变温场空间晶体生长炉(100),其特征是有一包括微处理器和温度传感器的数据采集器(300),一包括电源和功率器件、根据数控信号工作的加热功率分配器(200),一用于显示和远程监控的中央监控台(600),一作为远程遥测遥控通道的无线电通讯设备(700)。
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